专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：基底、第一栅极结构半导体、第二栅极结构和覆盖层。基底包括分立的半导体通道，半导体通道设置于基底的顶部且沿竖直方向延伸。第一栅极结构设置于半导体通道的第一区域且环绕半导体通道。第二栅极结构设置于半导体通道的第二b体育区域电路知识，包括环结构和至少一个桥结构，其中，环结构环绕半导体通道b体育，至少一个桥结构贯穿半导体通道，且沿贯穿方向延伸至环结构的内壁b体育。覆盖层位于相邻的半导体通道之间的间隔区域。覆盖层包括沿竖直方向延伸的第一连通孔，半导体通道的顶部以及靠近顶部的部分侧壁被第一连通孔暴露。本公开实施例能够提高半导体结构整体的电学性能。