专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体领域半导体，提供一种半导体结构及其制作方法b体育，其中，半导体结构的制作方法包括：提供基底；在基底上形成沿第一方向和第二方向阵列排布的多个半导体通道；形成沿第一方向延伸的多条位线，位线基底内，且每一位线与沿第一方向排布的多个半导体通道电连接；形成沿第二方向延伸的多条字线半导体，每一字线包绕沿第二方向排布的多个半导体通道的部分侧面，其中b体育，在沿第一方向上，相邻的两条字线在垂直于基底表面的方向上间隔排布；形成侧壁导电层，侧壁导电层位于相邻的两条字线之一的上方，且侧壁导电层与相邻的两条字线之另一同层设置。该半导体结构可以降低相邻字线之间的耦合效应。