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研究发展出单层二硫化钼低功耗柔性集成电路

作者:小编    发布时间:2023-07-06 18:18:07    浏览量:

  博鱼体育博鱼体育博鱼体育柔性电子是新兴妙技,在音信、能源、生物疗养等领域具有空旷的应用前景。其中,柔性集成电途可用于便携式、可穿着、可植入式的电子产品中,对器件的低功耗提出了极高的办法须要。相对于传统半导体材料,单层二硫化钼二维半导体具有原子级厚度、适当的带隙且兼具刚性(面内)和柔性(面外),是备受属目的柔性集成电路沟途质料。但是,推动二维半导体柔性集成电路走向实质利用并形成竞赛力,消浸器件功耗、同时依旧器件本能是症结方式教唆之一。

  中原科学院物理试探所/北京凝集态物理国家搜求中心搜索员张广宇课题组器件寻找办法连年来聚焦于二维半导体,在高质料二维半导体晶圆制备、柔性薄膜晶体管器件和集成电路等计划获得了紧张进展。比年来的代表性事务搜集实现百微米以上大晶畴及高定向的单层二硫化钼4英寸晶圆,进而操纵逐层外延实现了层数主持的多层二硫化钼4英寸晶圆;率先告竣单层二硫化钼柔性晶体管和逻辑门电途的大面积集成;呈现单层二硫化钼柔性环振电途的人工视网膜利用,效仿人眼感美丽电脉冲标志产生、传导和照料的性能。

  近期,该课题组博士摸索生汤修、田金朋等进展了一种金属埋栅聚积超薄栅介质层沉积工艺(图1),将高介电常数HfO2栅介质层厚度减少至5 nm,对应等效氧化物厚度(EOT)低落至1 nm。所制备的硬衬底上的场效应晶体管器件左右电压能够等比例缩放至3 V以内,亚阈值摆幅到达75 mV/dec,迫近室温极限60 mV/dec。同时,寻求经历优化金属重积工艺,使得金属电极与二硫化钼之间无损害接触,提防费米能级钉扎,使奋斗电阻消极至Rc600 Ω·μm,有效地将沟道长度为50 nm的场效应器件的电流密度抬高至0.936 mA/μm @Vds=1.5 V。在此根柢上,科研人员将该工艺应用于柔性器件的制作。四英寸晶圆模范下柔性二硫化钼场效应晶体管阵列及集成电道发挥出高超的平均性以及器件机能维持性(图2)。该工滋扰随机抉择500个场效应器件举行测试察觉,器件兼具高良率( 96%)、高功能(平均搬动率~70 cm2 ·V-1 ·s-1)以及平均的阈值电压传布(0.96 ± 0.4 V)。当担任电压在低落到0.5 V以下时,反相器仿照十全大噪音容限和高增益、器件单元功耗低至10.3 pW·μm-1;百般逻辑门电途也能够维系精确的布尔运算和平定的输出(图3);11阶环振电途恐怕平定地输出正弦标记,原先到担任电压颓丧到0.3 V以下(图4)。

  该事情显示了单层二硫化钼柔性集成电道大概兼具高本能和低功耗,为二维半导体基集成电途的发展走向本质应用供应了技术铺垫。相干完毕近期以Low power flexible monolayer MoS2integrated circuits为题,宣告在《自然-通讯》(Nature Communications2023; 14, 3633)上。试探事宜得到国家中心研发计划、国家自然科学基金和华夏科学院计谋性肇基科技专项(B类)等的支柱。该试探由物理所与松山湖质量实验室联闭达成。

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