b体育３.集电极电阻阻值根据驱动电流实际情况调整。同样基极电阻也可以根据实际情况调整。

　　基极和发射极需要串接电阻，该电阻的作用是在输入呈高阻态时使晶体管可靠截止，极小值是在前级驱动使晶体管饱和时与基极限流电阻分压后能够满足晶体管的临界饱和，实际选择时会大大高于这个极小值，通常外接干扰越小电路知识、负载越重准许的阻值就越大，通常采用10K量级。

　　防止三极管受噪声信号的影响而产生误动作，使晶体管截止更可靠！三极管的基极不能出现悬空，当输入信号不确定时（如输入信号为高阻态时）b体育，加下拉电阻，就能使有效接地。

　　特别是GPIO连接此基极的时候，一般在GPIO所在IC刚刚上电初始化的时候，此GPIO的内部也处于一种上电状态，很不稳定，容易产生噪声，引起误动作！

　　加此电阻，可消除此影响(如果出现一尖脉冲电平，由于时间比较短，所以这个电压很容易被电阻拉低；

　　如果高电平的时间比较长，那就不能拉低了，也就是正常高电平时没有影响)！ 但是电阻不能过小，影响泄漏电流！

　　（过小则会有较大的电流由电阻流入地） 当三极管开关作用时,ON和OFF时间越短越好,为了防止在OFF时,因晶体管中的残留电荷引起的时间滞后,在B,E之间加一个R起到放电作用。

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　　结构有NPN和PNP两种，因为电子比空穴有更高的迁移率，所以NPN比PNP型

　　,放大管,但在判断上很含糊,懂NPN:放大时发射结正向偏置，集电极反向偏置等b体育，对其相关知识吃不透．老师你可以说说你对

　　Vb，这种偏置调节不精准，且易受温度变化，太大静态功耗大，太小会有交越失线

　　饱和区（完全导通），Rce≈0，Vce≈0.3V，且这个0.3V，我们就认为它直接接地了。 那么就需要让Ib大于等于1mA，若Ib=1mA, Ic=100mA，它的放大倍数β=100，

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　　部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有 PNP 和 NPN 两种。 1

　　，与SS8550 互补。8050是一种低电压、大电流、小信号的NPN型硅

　　，最大集电极电流为0.5 A，而SS8050最大集电极电流为1.5 A。

　　部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。 常用

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　　的基极不能出现悬空，当输入信号不确定时（如输入信号为高阻态时），加下拉