博鱼体育博鱼体育集成电途高温动态老化编制 产品细则 符合标准：GJB548（等同MIL-STD-883）、GJB597（等同MIL-M-38510） g用限度： 关用于对各种数字、师法、数模混淆集成电谈和SOC电途、微处罚器、生存器等微电子电讲举办高温动静 化测试。 工作特点： 一板一区事务方式，最多可同时进行16种规格、批次的器件进行筛选实验，适应多品种、小批量。 超温报警安设，保证温度要求安适施加。 可检测各组电源事件情形及测试箱温度并描摹其与技术合联的曲线。 软件全编辑灯号形成式样，可满足包罗保留器在内的多种集成电叙器件的动静老化要求。 集成的用户软件包基于WINDOWS台启迪，结果无缺并有优异的可引申性。 主从式RS485全双工高速串行通讯接口，远距离通讯才略强，数据传输安定信得过。 实验容量和系统分区可依据实际情状另行创立。 尝试箱可采取两个小型试1^箱，每个考试箱装8块老化板，可同时举办两个温度条款的试验。 可供给专用调式台，齐备单独的DUT试运行接口和维修接口，简便测试前或实验中对DU井口老化板进 亍测试状态查抄。 “子电路举行高温动态老化考试。 技巧成效： 型号 ELEA-V ELEH-V 编制分区 16区（准绳） 试验容量 208X16（以DIP14计） / 测试温度 最高150c 数字信号途数 每板64谈 每板8途 数字暗记 每路可伶仃编辑旗号的数据、地方、范围、三态特质；信号最高频率：2MHz最小编 程区别率100ns,最小编程步长100ns；编程深度256k;旗号幅度程控控制：2.0V?18.0V;最大寻址深度：64G;数字灯号可选拔直接输入、字符输入、纪律输入三种方，编程； 仿效暗号 多途多种类师法信号产生单元及驱动电途，最高频率可达1MHz最大驱动电流：1A;信 号幅度Vpp20V;直流偏移量：0?1/2Vpp； 测验形式监测 64叙信号示波监测接口；宽限定数字、仿效暗记频率自愿尝试、记录；二级电源电压 卜测； 1级电源电流、信号峰值监测（可选） 通讯速率 500K 二级电源 可程控VCCVMUXVEE; 输出本领：2V?18V/10A; “备灌电流才具； 2组正电源：VCC1（+2V~+36V、VCC2（+2V~+36S; 2组负电源：VEE1（-2V~-36V）、VEE2（-2V~-36V）;电流为最大10A; 具有过流、过压及过热偏护成就； 电源前提 输入：AC380V,50Hz,三相（220V单相可选）； 整机功率：8kW以下 整机功率：12kW以下 沉量 约500kg 外形尺 寸（宽X高 1313m由1950m由1350mm X深) 原则：在数/模搀杂集成电路安排中电压基准是急迫的模块之一。针对古板电谈出现的基准电压易受电源电压和温度教化的差错，提出一种新的安排规划，电途中不应用双极晶体管，欺骗PMOS和NMOS的阈 值电压爆发两个独处于电源电压和晶体管迁徙率的负温度系数电压，颠末将其相减抵消温度系数，从而得 到恣意大小的零温度系数基准电压值。该打算打算基于某公司0.5“mCMOS工艺计划，经HSpice仿真验 证评释，各项指标均已来到打算条目。 电压基准是混淆暗记电路设计中一个特别蹙迫的组成单元，它博识利用于振荡器、锁相环、稳压器、ADC,DAC等电说中。形成基准的目的是成立一个与工艺和电源电压无合、不随温度变更的直流电压。短促最常见的竣工款式是带隙(Bandgap)电压基准，它是利用一个正温度系数电压与一个负温度系数电压加权求和来获取零温度系数的基准电压。然而，在这种安排中，由于正温度系数的电压大凡都是通过晶体管的be结压差得回的，负温度系数电压则直接诈骗晶体管的be结电压。由于晶体管固有的温度特性使其具 有以下局部性： (1)CMOS工艺中对寄生晶体管的参数描述不分外精确； (2)寄生晶体管基极接地的接法使其只能输出固定的电压； (3)在完全温度区间内，由于Vbe和温度的非线性联络，当供应输出精确的基准电压时要举行反应的曲率积累。 为相识决这些问题，提出一种基于CMOS阈值电压的基准打算铺排。它巧妙行使PMOS和NMOS阈值电压的温度特色，关成发生与温度无合的电压基准，实在电路不诈欺双极晶体管，战胜了非线性的温度因子，并能发作肆意大小的基准电压值。 1守旧带隙电压基准电路 图1为表率带隙基准的旨趣示贪图。 图1表率带隙基准叙理示盘算 若是R1=R2,遵守运算扩充器两输入端电压相当的准则，恐怕获得Va=Vb,又Vbe1-Vbe2=VTlnn, 因此输出电压为： =vhe2-i空1y七+能)= K* +VTln冗(]+RJ3)(1) 故： 3Vout/0T=弭&/JT+lnMl+RR)。2) Vbe在室温下的温度系数约为-2.0mV/K,而热电压、VT在室温下的温度系数约为0.085mV/K关理提拔R2,R3和n的值，可以得回零温度系数的基准电压。 然而，由于前述有合晶体管温度特征的裂缝，使得实际策画中会保管很多贫苦。鉴于此，将对古代带隙基准举办修正，基于MOS阈值电压打算一款零温度系数的基准电路。 2新型电压基准电谈 2.1MOS器件的温度特征 对长?^叙MOS器件而言，其事件地区可分歧为饱和区和线性区。 鼓和区的事件电流为： %=(1/2)孙心(卬儿)(％,—(3) 线性区的工作电流为； 式中：COX为单位面积的栅电容；pN为电子的转移率；W,L为栅的宽和长；VTN为NMOS的阈值 电压。在式(3)和式(4)中，有两项与温度关系的参数：阈值电压VTN以及迁移率gNo阈值电压与温度干系式为： 式中：VT(TNOM)是标称温度下的阈值电压；KT1是阈值电压的温度系数；KT1l是阈值电压的沟叙调 制系数；KT2是阈值电压的衬偏系数。从该式大概看出，阈值电压和温度呈线性关联。 相反，迁移率卢N与温度呈非线性的函数关联，剖明式为： UTE 6) 式中：vN(TNOM)为标称温度下的转移率；Ute为“N的温度系数，典范值通常在-2.0?-1.5之间 由于迁徙率弘N是温度的非线性函数，以是很难诈欺MOS特性出现显着的基准电压。一种措施是使用晶 体管发作PTAT电压进行补偿。可是，PTAT电压恒定的温度系数使得基准电压只能在一个固定的温度点上发生零温度系数的基准电压。以是，在该打算中，为了校服转移率非线性的熏染，历程两个散开与PMOS和NMOS阈值电压成正比的电压相减而举办抵消。 2.2设计事理 图2为该基准电途的设计原理图 图2电压基准策画原理图 如图2所示，动手发作两谈分别与PMOS和NMOS阈值电压成正比的电压VP和VN,通过扶持合理的系数K1,K2,使得两者的温度系数相抵消，从而获得低温度系数或零温度系数的基准电压。产生的基准电压表明式如式（7）所示： 炉房=K：%+K￡Vx(7) 并且该电压值可以遵照条目进行培植O 图3为该打算意想的模块示意图。模块1为电压VP的发作电谈；模块2为电压VN的出现电路；VP 与VN再历程模块3所示的减法器电路举办相减，使得两者的温度系数相抵消，从而取得零温度系数的基 准电压Vref。 图3电压基准模块示企望 2.3基于PMOS阈值电压发作VP电道打算 如图3中模块1所示，VP是由PMOS管MP1,MP2产生的一个随温度蜕变的线的漏极电压等于Va,颠末稳妥调整R1和R2阻值，使得MP1事情在胀和区，MP2事宜在线造成负反馈，且负反馈的效劳大于正反馈。可以看出，在出现线性电压VP的进程中，当VP为0时，流过MP1,MP2电流为0,即保留一个零点。是以拉长MOS管MP3作为启动管，

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