克日，功率半导体器件边界的顶级蚁闭IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)在中原香港举办。在本届ISPSD上，北京大学集成电途学院/集成电途高精尖更新重点3篇高水准论文当选，向国际功率器件与功率集成电道畛域的同行表露了北京大学最新的研究恶果。这三篇论文内容涉及GaN功率器件的有源钝化技能、GaN功率器件的体罗网贬抑技艺、1200V高压GaN功率器件技艺。论文的详目如下：

　　图1. 遴选有源钝化技术的GaN功率器件结构、TEM照片、动态电阻试验究竟

　　连年来，新兴运用场景（如数据要点、机器人、可衣着电子产品等）对功率器件的改革效劳和功率密度提出了更高吁请。GaN功率晶体管因其卓绝机能，有望在下一代高频功率开关编制中表现关键成果。然则，表面圈套效应引起的消息电阻退化情景成为抑遏GaN功率器件实用化的最急急成分。

　　北京大学集成电路学院/集成电路高精尖改良重点魏进、王茂俊、郝一龙团队提出有源钝化p-GaN栅极HEMT。该器件具有延长到漏极侧的有源p-GaN钝化层，竣工了加强型开合模式。有源钝化层邻接到p-GaN栅极，通过栅电极供给或释放可自由搬动的空穴，结束对局面陷阱效应的一齐屏蔽。该行状以High Dynamic Stability in Enhancement-Mode Active-Passivation p-GaN Gate HEMT为题，公告于今年ISPSD，著作的第一作者是北京大学集成电路学院的博士商酌生吴妍霖。

　　图2. 遴选空穴增添埋层的GaN功率器件打算机仿真终究和体骗局效应的测试试验毕竟

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　　相比Si功率器件，GaN高压功率晶体管具有更低的导通电阻、更高的临界击穿电场以及更小的寄生电容。然则，GaN质量体罗网充放电时代常数较大，形成厉重的动静不平宁性，成为GaN高压功率晶体管及集成电途进展的瓶颈。

　　北京大学集成电路学院/集成电途高精尖改变要点魏进、王茂俊团队提出了蓄意了一种带空穴扩张埋层GaN功率晶体管技能。器件开启时，空穴从p-GaN 栅极注入至空穴扩展埋层，樊篱了缓冲层陷坑对二维电子气的调制效力，统统抑制了体罗网引起的动态不寂寥性地步。该职业以Exploitation of Hole Injection and Spreading for Dynamic Enhancement in p-GaN Gate HEMT under Room/High Temperatures为题，宣告于今年ISPSD，文章的第一作者是北京大学集成电路学院博士磋商生杨俊杰，通讯作者是魏进商榷员和王茂俊副教授。

　　图3. GaN高压功率晶体管路理图、击穿个性尝试终究、击穿电压与器件尺寸合联图

　　650-V加强型p-GaN栅极HEMT依然在手机速充等畛域获得必然的商业亨通。而电力传输、新能源汽车、资产电子等界线往往需求1200V以上的功率晶体管器件。受限于GaN-on-Si材料的垂直击穿情景，迄今为止，国际上鲜有报途大于1200 V的加强型p-GaN栅极HEMT器件。

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　　IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)是功率半导体器件边界的顶级鸠集，以论文委用率低、作品改变性和实用性强著称，每年吸引全球束缚内大量学术界、工业界研发人员的合怀和到场。史书上对于功率器件的浓厚庞大起色均在ISPSD大会初度表现。聚会内容涉及高压功率器件、低压功率器件、功率集成本事、SiC功率器件、GaN功率器件等方面。IEEE ISPSD在欧洲、北美、日本、其全部人区域轮番举办，2023年ISPSD的举行地为中原香港，2024年ISPSD将在德国不来梅市进行。